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BSS84PH6327XTSA2  与  BSS84P H6433  区别

型号 BSS84PH6327XTSA2 BSS84P H6433
唯样编号 A-BSS84PH6327XTSA2 A-BSS84P H6433
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8Ω
上升时间 - 16.2ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 1.5nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 19pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 65mS
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 170mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 170mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 20.5ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 360mW
典型关闭延迟时间 - 8.6ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 20uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS84
25°C时电流-连续漏极(Id) 170mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 6.7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS84PH6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84P H6327_P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.2613
1,500: ¥0.1905
3,000: ¥0.15
78,026 对比
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel

¥0.4802 

阶梯数 价格
490: ¥0.4802
1,000: ¥0.3557
1,500: ¥0.2964
3,000: ¥0.2316
0 对比
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel

暂无价格 0 对比
BSS84PH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84P H6433_P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS84P H6433 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84PH6433XTMA1_60V 170mA 5.8Ω 20V 360mW P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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